Convertisseur de vitesse de gravure
Convertissez les vitesses de gravure et de dépôt entre nm/min et Å/s, et voyez combien de temps prend une couche.
C’est 2× plus rapide qu’un dépôt par pulvérisation, tandis qu’une gravure plasma est 5× plus rapide. Une couche de 100 nm prendrait environ 1 minutes.
Ce que ça représente
Ça pousse vite comment ?
Les vitesses dépendent du matériau autant que du procédé : une recette qui grave vite l’oxyde peut à peine toucher le nitrure. Cette différence s’appelle la sélectivité.
Toutes les unités
Votre vitesse dans toutes les unités
Comprendre
Trois choses à savoir
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1 Å/s = 6 nm/min
Dix ångströms par nanomètre, soixante secondes par minute. Les contrôleurs de dépôt affichent des Å/s ; les recettes s’écrivent en nm/min.
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Le dépôt de couches atomiques compte les cycles
L’ALD ajoute une couche atomique par cycle, environ 0,1 nm : la vitesse dépend du temps de purge de la chambre plutôt que de la chimie.
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Les vitesses ne sont pas uniformes
Le centre d’une plaquette se grave souvent plus vite que le bord. Une vitesse annoncée est une moyenne, et l’écart d’un bout à l’autre de la plaquette est ce contre quoi l’ingénieur procédé se bat vraiment.
Raccourcis
Conversions courantes : vitesse
Le contexte
À propos des vitesses de gravure et de dépôt
On ne mesure pas les couches des semi-conducteurs pendant leur fabrication : on les chronomètre. Un procédé à 100 nm/min fait une couche de 50 nm en trente secondes : la vitesse doit donc être connue et stable.
Les machines se règlent souvent en ångströms par seconde, un dixième de nanomètre : une échelle où une unité vaut environ un demi-atome.