Convertisseur de mobilité des porteurs
Convertissez la mobilité des porteurs entre l’unité CGS de toutes les fiches techniques et l’unité SI, et voyez la vitesse de dérive qui en découle.
C’est à peu près autant que les électrons dans le silicium. Dans un champ de 100 V/cm, les porteurs dérivent à environ 1 400 m/s.
Ce que ça représente
À quelle vitesse les porteurs se déplacent-ils ?
La mobilité baisse avec la température et le dopage. Les chiffres publiés concernent généralement un matériau faiblement dopé à température ambiante.
Toutes les unités
Votre mobilité dans toutes les unités
Comprendre
Trois choses à savoir
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1 m²/(V·s) = 10 000 cm²/(V·s)
L’unité en centimètres survit parce que les valeurs du silicium s’y écrivent avec trois ou quatre chiffres ordinaires.
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Dérive, pas vitesse
Les électrons d’un conducteur s’agitent à un million de mètres par seconde. La dérive qui s’y ajoute est une reptation, souvent quelques millimètres par seconde, et c’est la seule part qui transporte le courant.
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La mobilité n’est pas la conductivité
La conductivité est la mobilité multipliée par la concentration de porteurs. Le silicium fortement dopé a une mobilité médiocre et une excellente conductivité, parce qu’il a beaucoup plus de porteurs.
Raccourcis
Conversions courantes : mobilité
Le contexte
À propos de la mobilité des porteurs
La mobilité indique à quelle vitesse les électrons ou les trous dérivent pour un champ électrique donné : vitesse = mobilité × champ. Les électrons du silicium atteignent 1 400 cm²/(V·s) ; les trous seulement 450 : voilà pourquoi les transistors à canal N sont plus rapides.
Le graphène atteint 200 000, ce qui explique en bonne partie l’enthousiasme qu’il a suscité.